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    氧化鋅鋁(AZO)靶材ZnO-Al2O3

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    ZnO是一種Ⅱ一Ⅵ族具有六角纖鋅礦結構的直接帶隙寬禁帶n型半導體材料,晶格常數a=0.32496nm,C=0.52065nm。室溫下ZnO的禁帶寬度約為3.37eV,熔點為1975攝氏度,具有很高的熱穩定性和化學穩定性。而且ZnO薄膜的外延生長溫度較低,有利于降低設備成本,抑制固相外擴散,提高薄膜質量,也易于實現摻雜。ZnO來源豐富、價格便宜、無毒,具有優良的綜合性能,在國際上已成為半導體光電材料的研究熱點。

    ZnO薄膜是一種重要的光電子信息材料,不僅具有與傳統的ITO薄膜相比擬的光電性質,而且原料豐富,價格低,無毒性,熱穩定性高,在太陽能電池、液晶顯示器及光電探測器等領域有著廣泛的應用前景??蓮V泛應用于制造柔性襯底發光器件、塑料液晶顯示器和非晶硅太陽能電池,還可作為透明保溫隔熱材料用于塑料大棚以及汽車玻璃和民用建筑玻璃的貼膜。尤其在光電子產業1TO透明導電薄膜中,In元素資源稀少,價格昂貴,亟需找到一種可替代的材料。

    在ZnO體系中摻雜Al得到ZnO:Al透明導電薄膜,即AZO薄膜,摻雜后薄膜導電性能大幅度提高,電阻率可降低到10-4 ohm·cm,而且透明導電薄膜AZO薄膜在氫等離子體中穩定性要優于ITO,同時具有可同ITO相比擬的光電特性,而且AZO薄膜的制備方便,元素資源比In元素豐富,且無毒,逐漸成為ITO薄膜最佳替代者,AZO薄膜已經在平板顯示器和薄膜太陽能電池中得到了部分應用。


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